|
Spectral lines of Silicon |
উচ্চারণ | |
---|
উপস্থিতি | crystalline, reflective with bluish-tinged faces |
---|
|
|
| |
---|
|
|
|
পারমাণবিক সংখ্যা | ১৪ |
---|
মৌলের শ্রেণী | ধাতুকল্প |
---|
গ্রুপ | গ্রুপ ১৪; (কার্বন গ্রুপ) |
---|
পর্যায় | পর্যায় ৩ |
---|
ব্লক | পি-ব্লক |
---|
প্রতিটি কক্ষপথে ইলেকট্রন সংখ্যা | 2, 8, 4 |
---|
|
দশা | কঠিন |
---|
গলনাঙ্ক | 1687 কে (1414 °সে, 2577 °ফা) |
---|
স্ফুটনাঙ্ক | 3538 K (3265 °সে, 5909 °ফা) |
---|
ঘনত্ব (ক.তা.-র কাছে) | 2.3290 g·cm−৩ (০ °সে-এ, ১০১.৩২৫ kPa) |
---|
তরলের ঘনত্ব | m.p.: 2.57 g·cm−৩ |
---|
ফিউশনের এনথালপি | 50.21 kJ·mol−১ |
---|
বাষ্পীভবনের এনথালপি | 359 kJ·mol−১ |
---|
তাপ ধারকত্ব | 19.789 J·mol−১·K−১ |
---|
বাষ্প চাপ
P (Pa) |
১ |
১০ |
১০০ |
১ k |
১০ k |
১০ k |
at T (K) |
1908 |
2102 |
2339 |
2636 |
3021 |
3537 |
|
|
জারণ অবস্থা | 4, 3 , 2 , 1[3] -1, -2, -3, -4 amphoteric oxide |
---|
তড়িৎ-চুম্বকত্ব | 1.90 (পলিং স্কেল) |
---|
আয়নীকরণ বিভব | (আরও) |
---|
পারমাণবিক ব্যাসার্ধ | empirical: 111 pm |
---|
সমযোজী ব্যাসার্ধ | 111 pm |
---|
ভ্যান ডার ওয়ালস ব্যাসার্ধ | 210 pm |
---|
|
কেলাসের গঠন | হিরক ঘনক হিরক ঘনক |
---|
শব্দের দ্রুতি | পাতলা রডে: 8433 m·s−১ (at 20 °সে) |
---|
তাপীয় প্রসারাঙ্ক | 2.6 µm·m−১·K−১ (২৫ °সে-এ) |
---|
তাপীয় পরিবাহিতা | 149 W·m−১·K−১ |
---|
তড়িৎ রোধকত্ব ও পরিবাহিতা | ২০ °সে-এ: 103 [4] Ω·m |
---|
চুম্বকত্ব | diamagnetic[5] |
---|
ইয়ংয়ের গুণাঙ্ক | 185[4] GPa |
---|
কৃন্তন গুণাঙ্ক | 52[4] GPa |
---|
আয়তন গুণাঙ্ক | 100 GPa |
---|
পোয়াসোঁর অনুপাত | 0.28[4] |
---|
(মোজ) কাঠিন্য | 7 |
---|
ক্যাস নিবন্ধন সংখ্যা | 7440-21-3 |
---|
|
|
প্রধান আইসোটোপ[6] |
ক্ষয় |
|
প্রাচুর্যতা |
অর্ধায়ু (t১/২) |
মোড |
পণ্য |
২৮Si |
92.2% |
স্থিতিশীল |
২৯Si |
4.7% |
স্থিতিশীল |
৩০Si |
3.1% |
স্থিতিশীল |
৩১Si |
ট্রেস |
২.৬২ h |
β− |
৩১P |
৩২Si |
ট্রেস |
১৫৩ y |
β− |
৩২P |
|
|
বিষয়শ্রেণী: সিলিকন | তথ্যসূত্র |