Fitxer:HKMG_-_NMOS_and_PMOS_Intel_45_nm_node_DE.svg
From Wikipedia, the free encyclopedia
Mida d'aquesta previsualització PNG del fitxer SVG: 800 × 338 píxels. Altres resolucions: 320 × 135 píxels | 640 × 270 píxels | 1.024 × 432 píxels | 1.280 × 540 píxels | 2.560 × 1.080 píxels | 1.600 × 675 píxels.
Fitxer original (fitxer SVG, nominalment 1.600 × 675 píxels, mida del fitxer: 33 Ko)
Aquest fitxer i la informació mostrada a continuació provenen del dipòsit multimèdia lliure Wikimedia Commons. Vegeu la pàgina original a Commons |
Resum
DescripcióHKMG - NMOS and PMOS Intel 45 nm node DE.svg |
Deutsch: Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik (Gate-Last- bzw. Replacement-Gate-Ansatz) wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte.
Die vereinfachten Darstellungen sind Veröffentlichungen von Transmissionselektronenmikroskopaufnahmen nachempfunden, wie sie beispielsweise in D. James An Ongoing History of Strain-Now Available with High-k! WeSRCH-Veröffentlichung (http://electronics.wesrch.com/pdfEL1SE1YJ9AKVU) zu finden sind. |
Data | |
Font | Treball propi |
Autor | Cepheiden |
Llicència
Jo, el titular dels drets d'autor d'aquest treball, el public sota les següents llicències:
S'autoritza la còpia, la distribució i la modificació d'aquest document sota els termes de la llicència de documentació lliure GNU versió 1.2 o qualsevol altra versió posterior que publiqui la Free Software Foundation; sense seccions invariants, ni textos de portada, ni textos de contraportada. S'inclou una còpia d'aquesta llicència en la secció titulada GNU Free Documentation License.http://www.gnu.org/copyleft/fdl.htmlGFDLGNU Free Documentation Licensetruetrue |
Aquest fitxer està subjecte a la llicència Creative Commons Reconeixement i Compartir Igual 3.0 No adaptada, 2.5 Genèrica, 2.0 Genèrica i 1.0 Genèrica.
- Sou lliure de:
- compartir – copiar, distribuir i comunicar públicament l'obra
- adaptar – fer-ne obres derivades
- Amb les condicions següents:
- reconeixement – Heu de donar la informació adequada sobre l'autor, proporcionar un enllaç a la llicència i indicar si s'han realitzat canvis. Podeu fer-ho amb qualsevol mitjà raonable, però de cap manera no suggereixi que l'autor us dóna suport o aprova l'ús que en feu.
- compartir igual – Si modifiqueu, transformeu, o generareu amb el material, haureu de distribuir les vostres contribucions sota una llicència similar o una de compatible com l'original
Podeu seleccionar la llicència que vulgueu.
Elements representats en aquest fitxer
representa l'entitat
Algun valor sense element de Wikidata
21 feb 2011
Historial del fitxer
Cliqueu una data/hora per veure el fitxer tal com era aleshores.
Data/hora | Miniatura | Dimensions | Usuari/a | Comentari | |
---|---|---|---|---|---|
actual | 00:00, 22 feb 2011 | 1.600 × 675 (33 Ko) | Cepheiden | {{Information |Description ={{de|1=Schematische Querschnitte durch ein n-Kanal und ein p-Kanal-MOSFET in High-k+-Metal-Gate-Technik wie ihn Intel 2007 mit den Penryn-Prozessoren in 45-nm-Technik einführte. Die vereinfachten Darstellungen sind Veröff |
Ús del fitxer
La pàgina següent utilitza aquest fitxer:
Ús global del fitxer
Utilització d'aquest fitxer en altres wikis:
- Utilització a de.wikipedia.org