نیترید گالیم
مادهٔ کیمیایی / From Wikipedia, the free encyclopedia
نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پابکم ۱۱۷۵۵۹ است؛ که جرم مولی آن 83.73 g/mol میباشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است. گالیوم نیترید (GaN) یک ترکیب دوتایی نیمه هادی گروه III-V با کافِ نواریِ مستقیم است که به منظور استفاده در دیودهای نورگسیل از سال ۱۹۹۰ به کار گرفته شدهاست. این ترکیب بسیار سخت دارای یک ساختار بلوری ورتزایت (Wurtzite) است. این ساختار دارای کاف انرژی ۳٫۴ الکترون ولت است. ویژگیهای منحصر بفرد این ماده به آن جازه بهکارگیری در صنعت اپتوالکترونیک[4][5] دستگاههای توان-بالا فرکانس-بالا را میدهد.
Gallium nitride | |
---|---|
Gallium nitride | |
شناساگرها | |
شماره ثبت سیایاس | ۲۵۶۱۷-۹۷-۴ Y |
پابکم | ۱۱۷۵۵۹ |
کماسپایدر | ۱۰۵۰۵۷ Y |
شمارهٔ آرتیئیسیاس | LW9640000 |
جیمول-تصاویر سه بعدی | Image 1 |
| |
| |
خصوصیات | |
فرمول مولکولی | GaN |
جرم مولی | 83.73 g/mol |
شکل ظاهری | yellow powder |
چگالی | 6.15 g/cm3 |
دمای ذوب | >۲۵۰۰ °C[1] |
انحلالپذیری در آب | Reacts. |
نوار ممنوعه | 3.4 eV (300 K direct) |
تحرکپذیری | 440 cm2/(V·s) (300 K) |
رسانندگی گرمایی | 2.3 W/(cm·K) (300 K)[2] |
ضریب شکست (nD) | 2.429 |
ساختار | |
ساختار بلوری | ساختار ورتزیت |
گروه فضایی | C6v4-P63mc |
ثابت شبکه | a = 3.186 Å, c = 5.186 Å[3] |
Hexagonal | |
خطرات | |
شاخص ئییو | Not listed |
نقطه اشتعال | |
ترکیبات مرتبط | |
دیگر آنیونها | گالیم فسفین گالیم آرسنید گالیم آنتیمونید |
دیگر کاتیونها | نیترید بور آلومینیم نیترید نیترید ایندیم |
ترکیبات مرتبط | Aluminium gallium arsenide Indium gallium arsenide فسفید آرسنید گالیم Aluminium gallium nitride Indium gallium nitride |
به استثنای جایی که اشاره شدهاست در غیر این صورت، دادهها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شدهاند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa) | |
Y (بررسی) (چیست: Y/N؟) | |
Infobox references | |
|
حساسیت این ماده به تابش یونیزهکننده کم بوده (همانند نیتریدهای گروه سه دیگر) که منجر به مناسب بودن این ماده برای استفاده در سلولهای خورشیدی ماهوارههای فضایی میشود. این ماده به علت داشتن پایداری بالا در برابر فضاهای تابشی میتواند کاربردهای دیگری در تجهیزات نظامی و فضایی داشته باشد.[6]
ترانزیستورهای بر پایه گالیوم نیترید قابلیت مقاومت در برابر دما و ولتاژ را دارند که نسبت به ترانزیستورهای گالیوم آرسنایدی بهتر بوده. این ترانزیستورها توان ایده ال در فرکانس مایکروویو هستند. همینطور ویژگیهای مناسبی در ناحیه تراهرترز THz از خود نشان میدهند