ダウォン・カーン
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ダウォン・カーン(英語: Dawon Kahng、朝鮮語: 강대원、1931年5月4日 - 1992年5月13日)は、朝鮮系アメリカ人の電気工学者、発明家。固体電子工学(英語版)における業績で知られ、1959年にモハメド・アタラ(英語版)とともにMOSFETを発明したことで有名。アタラとともにMOSFET半導体デバイス製造のPMOSとNMOSプロセスを発展させた。MOSFETは、最も広く使用されているタイプのトランジスタであり、近年の電子機器の基本素子である。
概要 ダウォン・カーン, 生誕 ...
ダウォン・カーン | |
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강대원 | |
生誕 |
(1931-05-04) 1931年5月4日[1] 朝鮮、京畿道、京城府 (現在の大韓民国、ソウル) |
死没 |
[2] アメリカ合衆国ニュージャージー州ニューブランズウィック |
市民権 |
大韓民国(放棄) アメリカ合衆国 |
職業 | 電気工学者 |
著名な実績 |
MOSFET (MOSトランジスタ) PMOS及びNMOS ショットキーダイオード ナノ層ベーストランジスタ 浮遊ゲートMOSFET 浮遊ゲートメモリ リプログラマブルROM |
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カーンとアタラは後にMOS集積回路の概念を提案し、1960年代初頭にショットキーダイオードとナノ層ベーストランジスタに関する先駆的な研究を行った。その後、1967年にサイモン・ジィーとともに浮遊ゲートMOSFET(FGMOS)を発明した。カーンとジィーは、FGMOSは不揮発性メモリ(NVM)やリプログラマブルROM(ROM)の浮遊ゲートメモリセル(英語版)として使用できることを提案した。NVMやROMはEPROM (erasable programmable ROM)、EEPROM (electrically erasable programmable ROM)やフラッシュメモリ技術の基礎となった。2009年に全米発明家殿堂入りした。